Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP5645

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP5645

FDP5645 Hakkında

FDP5645, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 9.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp dissipasyonu sağlar. -65°C ile +175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sunar. Motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 125W maksimum güç dissipasyonu ile ağır yük uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4468 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok