Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP55N06
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP55N06
FDP55N06 Hakkında
FDP55N06, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 55A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesi ile DIP şeklinde monte edilmektedir. 22mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 114W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetimi kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok