Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP51N25

MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP51N25

FDP51N25 Hakkında

FDP51N25, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 51A sürekli drain akımı ile tasarlanmış, TO-220-3 paketinde sunulur. 60mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 70nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Güç derecelendirmesi 320W olup, yüksek güç uygulamalarında, SMPS (Switch Mode Power Supply), motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulanabilirlik sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3410 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok