Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP4D5N10C
MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP4D5N10C
FDP4D5N10C Hakkında
FDP4D5N10C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajında 128A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate sürüş voltajında 4.5mΩ on-state direnç (RDS(on)) değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kontrol uygulamalarında, DC motor sürücülerinde, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) ve endüstriyel inverter devrelerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 150W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ağır yük uygulamalarına uygundur. ±20V maksimum VGS voltajı ile korumalı gate yapısına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 128A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5065 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 310µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok