Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP4030L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP4030L

FDP4030L Hakkında

FDP4030L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motorlar, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 55mOhm maksimum kanal direnci ile düşük ısı kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 175°C) sayesinde zorlu ortamlarda da kullanılabilir. 18nC gate yükü ile hızlı komütasyon sağlayan bu MOSFET, ±20V maksimum gate gerilimi ile korumalı bir tasarıma sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok