Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP39N20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP39N20
FDP39N20 Hakkında
FDP39N20, Rochester Electronics tarafından üretilen 200V N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 39A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 66mOhm on-resistance değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. 49nC gate charge ve düşük input capacitance değerleri, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarımıdır. Endüstriyel kontrol devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor sürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 251W maksimum güç dağıtım yeteneğine sahip bu MOSFET, güvenilir ve dayanıklı bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2130 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 251W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 19.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok