Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP3652

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP3652

FDP3652 Hakkında

FDP3652, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 100V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı (25°C'de) kapasitesine sahiptir. 61A'ye kadar geçici akım taşıyabilir. 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama güç uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. 150W maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle orta-ağır yük uygulamalarına uygundur. ±20V Vgs toleransı ile geniş kontrol gerilimi aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 61A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 61A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok