Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP3651U

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP3651U

FDP3651U Hakkında

FDP3651U, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. 18mΩ (80A, 10V koşullarında) maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemleri sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan FDP3651U, 255W maksimum güç dağılımı gerçekleştirebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5522 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok