Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP3651U

MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP3651

FDP3651U Hakkında

FDP3651U, onsemi tarafından üretilen N-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) olarak tasarlanmıştır. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 80A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir yariiletken bileşenidir. 18mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 255W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5522 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok