Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP3632

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP3632

FDP3632 Hakkında

FDP3632, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100V Drain-Source gerilimi ile çalışır ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 9mOhm on-state direncine (Rds On) sahip olan FDP3632, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 310W güç yayabilir. 6V ile 10V arasında drive voltajı gerektiren bu transistör, hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir ve ±20V maksimum gate-source voltajına kadar dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok