Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP33N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP33N25
FDP33N25 Hakkında
FDP33N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source voltaj ve 33A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipiyle through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. 94mOhm maksimum RDS(on) değeri, 48nC gate charge ve 235W güç tüketimi desteği ile motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama spektrumuna imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 235W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok