Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP2D9N12C
PTNG 120V N-FET TO220
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP2D9N12C
FDP2D9N12C Hakkında
FDP2D9N12C, onsemi tarafından üretilen 120V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, sürekli 18A drain akımı (Ta) ve 210A (Tc) kapasitesine sahiptir. Maksimum 2.9mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 109nC gate charge ve 8894pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenli işletim sağlayan bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve enerji dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 210A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 109 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8894 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 686µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok