Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP2D3N10C
FDP2D3N10C Hakkında
FDP2D3N10C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 222A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 2.3mOhm düşük RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında, motor sürücülerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve ağır akım anahtar uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 214W maksimum güç tüketim kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektronikleri tasarımlarında geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 222A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11180 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok