Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP2710_SW82258
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP2710
FDP2710_SW82258 Hakkında
FDP2710_SW82258, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipiyle monte edilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 42.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 260W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 101 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 260W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42.5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok