Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP2710

MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP2710

FDP2710 Hakkında

FDP2710, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 42.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7280 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok