Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP2670
FDP2670 Hakkında
FDP2670, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve invertör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 130mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 93W güç dağıtabilir. 38nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 93W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok