Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP2614

MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP2614

FDP2614 Hakkında

FDP2614, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilimi ile 62A sürekli drenaj akımı sağlayarak yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında tercih edilir. 27mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar ve 260W maksimum güç yayınlayabilir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında stabilitesiyle geniş uygulama yelpazesine uyarlanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7230 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 31A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok