Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP2532

MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP2532

FDP2532 Hakkında

FDP2532, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 25°C'de 8A sürekli drenaj akımına ve 175°C'de 79A akımına kapasite sahiptir. TO-220-3 paket formatında sunulan FDP2532, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 16mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Maximum 310W güç dağıtımı kapasitesi ile ağır yük uygulamalarına uygundur. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına kolay entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 79A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok