Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP22N50N

MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP22N50N

FDP22N50N Hakkında

FDP22N50N, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilimi ve 22A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 220mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç kontrol devrelerinde etkin bir şekilde çalışır. Maksimum 312.5W güç yayabilen bileşen, endüstriyel uygulamalar, adaptörler, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında kararlı performans sunmuş olup, ±30V maksimum gate-source gerilimini tolere eder.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 312.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok