Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP20N50
MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP20N50
FDP20N50 Hakkında
FDP20N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipi ile endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. 230mΩ maksimum drain-source direnci (10V gateden) ve 250W güç yayılım kapasitesi ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 59.5nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3120 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok