Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP18N50
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP18N50
FDP18N50 Hakkında
FDP18N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, switching power supplies, motor denetim devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply) tasarımları ve endüstriyel elektrik kontrolü gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 265mΩ maksimum RDS(on) değeri ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı, güvenilir uzun ömürlü performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 235W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok