Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP18N20F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP18N20F
FDP18N20F Hakkında
FDP18N20F, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 145mΩ maksimum kapalı durum direnci (RDS(on)) ile verimli iletim sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen FDP18N20F, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok