Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP18N20F

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP18N20F

FDP18N20F Hakkında

FDP18N20F, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paket tipi ile genel endüstriyel tasarımlara uyumludur. 145mOhm maksimum on-state direnci (10V, 9A) ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 26nC gate charge ile sürücü devre gereksinimlerini azaltır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok