Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP16N50
MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP16N50
FDP16N50 Hakkında
FDP16N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 380mΩ (10V, 8A şartlarında) düşük on-resistance değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 200W güç yayımlamaya kapasiteledir. Gate charge değeri 45nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar. Kütüphanelerde obsolete (üretilmiyor) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1945 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok