Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP16AN08A0
FDP16AN08A0 Hakkında
FDP16AN08A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilimi (Vdss) ile çalışabilen bu bileşen, 9A sürekli (Ta) ve 58A (Tc) drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 kütüğü ile sunulan komponent, güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve switch modlu konvertörlerde kullanılır. 16mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayarak ısıl verimliliği artırır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 135W güç saçma kapasitesiyle endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanıma uygundur. ±20V maksimum gate gerilimi ve 42nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1857 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 58A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok