Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP150N10A-F102
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP150N10A
FDP150N10A-F102 Hakkında
FDP150N10A-F102, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel PowerTrench MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 15mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, sürücü devreler, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi sistemleri ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 91W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok