Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP150N10

MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP150N10

FDP150N10 Hakkında

FDP150N10, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 57A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 10V gate sürücü voltajında 15mΩ on-resistance değeri ile çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevleri için kullanılır. Motor kontrol devrelerinde, güç kaynaklarında, DC-DC dönüştürücülerde ve ters çevrim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 110W maksimum güç yayılımına sahiptir. 4760pF giriş kapasitansı ve 69nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4760 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 49A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok