Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP13AN06A0
FDP13AN06A0 Hakkında
FDP13AN06A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 62A maksimum drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 13.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 115W güç yayabilir. Verim açısından kritik olan güç elektronik devreleri, DC-DC konvertörleri ve PWM kontrol sistemlerinde uygun seçenektir. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.9A (Ta), 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 62A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok