Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP12N50
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP12N50
FDP12N50 Hakkında
FDP12N50, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ve 11.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 650mΩ maksimum gate direnci (Rds On), 5V eşik gerilimi ve ±30V maksimum gate gerilimi ile DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 165W maksimum güç saçıtma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1315 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok