Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP10N60NZ
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP10N60NZ
FDP10N60NZ Hakkında
FDP10N60NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajında 10A sürekli akım kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 750mΩ maksimum on-direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 185W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamalarına uygundur. Son alım (Last Time Buy) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1475 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 185W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok