Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP10AN06A0
FDP10AN06A0 Hakkında
FDP10AN06A0, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 75A (Tc'de) sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. 10.5mOhm (75A, 10V) on-resistance ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri için kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 135W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 37nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1840 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok