Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP10AN06A0
FDP10AN06A0 Hakkında
FDP10AN06A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ile 12A sürekli (Ta) ve 75A geçici (Tc) akım işleme yeteneğine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarına uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen FDP10AN06A0, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 135W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Hızlı komütasyon özelliği ile yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1840 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok