Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP100N10

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP100N10

FDP100N10 Hakkında

FDP100N10, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 75A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10mOhm RDS(on) değeri ve 10V gate sürücü voltajı ile düşük kayıplı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok