Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP090N10

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP090N10

FDP090N10 Hakkında

FDP090N10, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 75A sürekli drenaj akımı ve 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 208W maksimum güç saçma kapasitesi ile DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren uygulamalarda düşük geçiş kaybı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8225 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok