Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP085N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP085N10A
FDP085N10A-F102 Hakkında
FDP085N10A-F102, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 96A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan transistör, 8.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük direnç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 40nC gate charge ve 2695pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun parametrelerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 96A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2695 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 96A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok