Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP085N10A

MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP085N10A

FDP085N10A Hakkında

FDP085N10A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 96A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yüksek akım anahtarlaması gerektiren tasarımlarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve 188W maksimum güç üretime sahiptir. 40nC gate charge ve 2695pF input kapasitans özellikleriyle hızlı ve verimli anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 96A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2695 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 96A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok