Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP054N10
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP054N10
FDP054N10 Hakkında
FDP054N10, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 5.5mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç kaynakları ve invertör tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir çalışma sunar. 263W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 203 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok