Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP047N08-F102
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP047N08
FDP047N08-F102 Hakkında
FDP047N08-F102, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 75V drain-source gerilimi ve 164A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, güç elektronik uygulamalarında anahtar (switching) elemanı olarak kullanılır. 4.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 268W maksimum güç disipasyonunda çalışabilir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 164A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9415 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 268W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok