Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP047AN08A0
MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP047AN08A0
FDP047AN08A0 Hakkında
FDP047AN08A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source voltajı ve 15A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak tercih edilir. 4.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Maximum 310W güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uyygundur. Yüksek hızlı anahtarlama özellikleri ve 138nC gate charge değeri ile verimli sürücü tasarımını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok