Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP045N10AF102
120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP045N10
FDP045N10AF102 Hakkında
FDP045N10AF102, Rochester Electronics tarafından üretilen 100V dayanımlı N-Channel Power MOSFET transistördür. 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 4.5mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 74nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilim toleransı ile geniş uyumluluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5270 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok