Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP040N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP040N06

FDP040N06 Hakkında

FDP040N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 120A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. 4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paket tipi ile manuel monte edilen uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanım alanı bulur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 231W maksimum güç dağılımı yapabilir. ±20V maksimum gate gerilimi ile koruma devrelerine karşı dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8235 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok