Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP039N08B-F102
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP039N08B
FDP039N08B-F102 Hakkında
FDP039N08B-F102, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 3.9mΩ (100A, 10V'ta) düşük RDS(on) direnci, anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-220-3 paketlemesiyle endüstriyel güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile +175°C sıcaklık bandında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9450 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok