Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP038AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP038AN06A0
FDP038AN06A0 Hakkında
FDP038AN06A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET türü güç transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.8mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 310W güç disipasyonuna dayanıklıdır. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Gate charge karakteristiği 124nC olup, hızlı ve kontrollü anahtarlama işlemleri için uygun bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok