Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP032N08B-F102
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP032N08B
FDP032N08B-F102 Hakkında
FDP032N08B-F102, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 3.3mΩ maksimum on-state direnci ile düşük kayıp sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 263W'a kadar güç yayınlayabilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4.5V gate eşik gerilimi ile kontrol devreleri tasarımında esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 144 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10965 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok