Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP027N08B_F102
FDP027N08B_F102
- Üretici
- WEC
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP027N08B
FDP027N08B_F102 Hakkında
FDP027N08B_F102, WEC tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 80V Vdss ve 120A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 2.7mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 246W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama işlemlerinde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13530 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 246W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok