Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP027N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP027N08B

FDP027N08B-F102 Hakkında

FDP027N08B-F102, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj rating ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.7mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir ve 246W güç dağıtma kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13530 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok