Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP023N08B-F102

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP023N08B

FDP023N08B-F102 Hakkında

FDP023N08B-F102, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 pakajında sunulan bu komponent, motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve yüksek akım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 245W güç dağıtabilir. 10V gate drive voltajında en uygun performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13765 pF @ 37.5 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.35mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok