Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP020N06B-F102

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP020N06B

FDP020N06B-F102 Hakkında

FDP020N06B-F102, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 120A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 333W'a kadar güç dağıtabilir. 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20930 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok