Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN86501LZ
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN86501
FDN86501LZ Hakkında
FDN86501LZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 116mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Şielded gate tasarımı ile EMI'ye karşı duyarlılığı azaltır. Düşük güç tüketimi ve kompakt boyutu nedeniyle mobil cihazlar, güç yönetimi, aydınlatma kontrolü ve motor sürücüsü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 335 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 116mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok