Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN86501LZ

MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDN86501

FDN86501LZ Hakkında

FDN86501LZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 116mΩ @ 10V Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SUPERSOT3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Düşük gate charge (5.4nC @ 10V) sayesinde hızlı komütasyon özellikleri vardır. LED sürücüleri, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç anahtarlama devreleri başlıca uygulama alanlarındandır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 335 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 116mOhm @ 2.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok